ISO 17560:2002 normas y especificaciones

Alcance: Esta norma internacional especifica un método de espectrometría de masas de iones secundarios que utiliza espectrómetros de masas de sector magnético o cuadrupolo para realizar perfiles de profundidad de boro en silicio, y que utiliza perfilometría de lápiz óptico o interferometría óptica para la calibración de escala de profundidad. Este método es aplicable a muestras de monocristal, policristalino o silicio amorfo con concentraciones atómicas de boro entre 1 × 10 átomos/cm y 1 × 10 átomos/cm, y a profundidades de cráter de 50 nm o más.

ISO 17560:2002 Historia

2014 ISO 17560:2014 Análisis químico de superficies. Espectrometría de masas de iones secundarios. Método para perfilar en profundidad el boro en silicio.
2002 ISO 17560:2002