GB/T 21039.1-2007
Dispositivos semiconductores Dispositivos discretos Parte 4-1: Diodos y transistores de microondas-Transistores de efecto de campo de microondas Especificación detallada en blanco (Versión en inglés)
- Estándar No.
- GB/T 21039.1-2007
- Idiomas
- Chino, Disponible en inglés
- Fecha de publicación
- 2007
- Organización
- General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China
- Ultima versión
- GB/T 21039.1-2007
- Alcance
- Esta especificación detallada en blanco forma parte de una serie de especificaciones detalladas en blanco para dispositivos semiconductores y debe utilizarse junto con las siguientes normas nacionales.
GB/T 21039.1-2007 Documento de referencia
- GB/T 12560-1999 Dispositivos semiconductores Especificación seccional para dispositivos discretos
- GB/T 4589.1-2006 Dispositivos semiconductores. Parte 10: Especificación genérica para dispositivos discretos y circuitos integrados
GB/T 21039.1-2007 Historia
- 2007 GB/T 21039.1-2007 Dispositivos semiconductores Dispositivos discretos Parte 4-1: Diodos y transistores de microondas-Transistores de efecto de campo de microondas Especificación detallada en blanco
