SAE J1752/3-2003
Medición de emisiones radiadas de circuitos integrados Método de celda TEM/TEM de banda ancha (GTEM); Celda TEM (150 kHz a 1 GHz), Celda TEM de banda ancha (150 kHz a 8 GHz)

Estándar No.

SAE J1752/3-2003

Fecha de publicación

2003

Organización

Society of Automotive Engineers (SAE)

Estado

Remplazado por

SAE J1752/3-2011

Ultima versión

SAE J1752/3-2017

Alcance

Este procedimiento de medición define un método para medir la radiación electromagnética de un circuito integrado (IC). El CI que se está evaluando se monta en una placa de circuito impreso (PCB) de prueba de CI que está sujeta a un puerto de acoplamiento (denominado puerto de pared) cortado en la parte superior o inferior de una celda TEM o TEM de banda ancha (GTEM). El tablero de prueba no está en la celda como en el uso convencional, sino que pasa a formar parte de la pared de la celda. Este método es aplicable a cualquier celda TEM o GTEM modificada para incorporar el puerto de pared; sin embargo, el voltaje de RF medido se ve afectado por el tabique para probar el espaciado de la placa (pared). Este procedimiento se desarrolló utilizando una celda TEM de 1 GHz con un espacio entre el tabique y la pared de 45 mm y una celda GTEM con un espacio promedio entre el tabique y la pared de 45 mm sobre el área del puerto. Es posible que otras celdas no produzcan una salida espectral idéntica, pero pueden usarse para mediciones comparativas, sujetas a sus limitaciones de frecuencia y sensibilidad. Un factor de conversión puede permitir comparaciones entre datos medidos en células TEM o GTEM con diferente separación entre el tabique y la pared. La placa de prueba de IC controla la geometría y la orientación del IC operativo en relación con la celda y elimina cualquier cable de conexión dentro de la celda (estos se encuentran en la parte posterior de la placa, que está fuera de la celda). Para la celda TEM, uno de los 50 puertos termina con una carga de 50. El otro puerto de 50 para una celda TEM, o el único puerto de 50 para una celda GTEM, está conectado a la entrada de un analizador o receptor de espectro que mide las emisiones de RF que emanan del IC y se acopla al tabique de la celda TEM. .

SAE J1752/3-2003 Historia

• 2017 SAE J1752/3-2017 Medición de emisiones radiadas de circuitos integrados: método de celda TEM/TEM de banda ancha (GTEM); Celda TEM (150 kHz a 1 GHz), Celda TEM de banda ancha (150 kHz a 8 GHz)
• 2011 SAE J1752/3-2011 Medición de emisiones radiadas de circuitos integrados Método de celda TEM/TEM de banda ancha (GTEM); Celda TEM (150 kHz a 1 GHz), Celda TEM de banda ancha (150 kHz a 8 GHz)
• 2003 SAE J1752/3-2003 Medición de emisiones radiadas de circuitos integrados Método de celda TEM/TEM de banda ancha (GTEM); Celda TEM (150 kHz a 1 GHz), Celda TEM de banda ancha (150 kHz a 8 GHz)
• 1995 SAE J1752/3-1995 Medición de emisiones radiadas desde circuitos integrados: método de celda Tem/Tem de banda ancha (Gtem); Tem Cell (150 Khz a 1 Ghz), Tem Cell de banda ancha (150 Khz a 8 Ghz)

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