IEC 60749-2:2002
Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 2: Baja presión de aire.

Estándar No.

IEC 60749-2:2002

Fecha de publicación

2002

Organización

International Electrotechnical Commission (IEC)

Estado

Remplazado por

IEC 60749-2:2002/COR1:2003

Ultima versión

IEC 60749-2:2002/COR1:2003

Reemplazar

IEC 47/1601/FDIS:2002 IEC 60749:1996 IEC 60749 AMD 1:2000 IEC 60749 AMD 2:2001 IEC 60749 Edition 2.2:2002

Alcance

Esta sección se aplica a las pruebas de baja presión de dispositivos semiconductores. El propósito de esta prueba es medir la capacidad de los componentes y materiales para evitar fallas por averías eléctricas, que son causadas por el debilitamiento de la rigidez dieléctrica del aire y otros materiales aislantes cuando se reduce la presión del aire. Esta prueba solo es aplicable a dispositivos con voltajes de funcionamiento superiores a 1000 V. Esta prueba es aplicable a todos los dispositivos semiconductores sellados al aire. Este probador es adecuado para campos militares y espaciales. Este método de prueba de baja presión es generalmente consistente con IEC 60068-2-13, pero en vista de los requisitos especiales de los dispositivos semiconductores, se utilizan las disposiciones de esta sección.

IEC 60749-2:2002 Historia

• 2003 IEC 60749-2:2002/COR1:2003 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 2: Baja presión de aire.
• 2002 IEC 60749-2:2002 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 2: Baja presión de aire.

IEC 60749-2:2002 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 2: Baja presión de aire. ha sido cambiado a IEC 60749:1996 Dispositivos semiconductores: métodos de prueba mecánicos y climáticos..