IEC 62373:2006
Prueba de estabilidad de temperatura de polarización para transistores de efecto de campo, semiconductores y de óxido metálico (MOSFET)

Estándar No.

IEC 62373:2006

Fecha de publicación

2006

Organización

International Electrotechnical Commission (IEC)

Ultima versión

IEC 62373:2006

Reemplazar

IEC 47/1862/FDIS:2006

Alcance

Esta norma internacional proporciona un procedimiento de prueba para una prueba de estabilidad de temperatura de polarización (BT) de transistores de efecto de campo (MOSFET) semiconductores de óxido metálico.

IEC 62373:2006 Historia

• 2006 IEC 62373:2006 Prueba de estabilidad de temperatura de polarización para transistores de efecto de campo, semiconductores y de óxido metálico (MOSFET)