BS IEC 60747-8:2001
Dispositivos semiconductores discretos y circuitos integrados - Transistores de efecto de campo - Clasificaciones y características adicionales y modificaciones en los métodos de medición para transistores de efecto de campo de conmutación de potencia

Estándar No.

BS IEC 60747-8:2001

Fecha de publicación

2001

Organización

British Standards Institution (BSI)

Estado

 2011-06

Remplazado por

BS IEC 60747-8:2010

Ultima versión

BS IEC 60747-8:2010+A1:2021

Reemplazar

92/34150 DC:1992 BS 6493-1.8:1985

Alcance

Debe leerse junto con IEC 60747-1

BS IEC 60747-8:2001 Historia

• 2021 BS IEC 60747-8:2010+A1:2021 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos - Transistores de efecto de campo
• 2011 BS IEC 60747-8:2010 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Transistores de efecto de campo
• 2001 BS IEC 60747-8:2001 Dispositivos semiconductores discretos y circuitos integrados - Transistores de efecto de campo - Clasificaciones y características adicionales y modificaciones en los métodos de medición para transistores de efecto de campo de conmutación de potencia