ISO 14706:2000 Análisis químico de superficies: determinación de la contaminación elemental de la superficie en obleas de silicio mediante espectroscopía de fluorescencia de rayos X de reflexión total (TXRF)
Esta norma internacional especifica un método TXRF para la medición de la densidad superficial atómica de la contaminación elemental en superficies de obleas de silicio epitaxiales o pulidas quimiomecánicamente. El método es aplicable a:
——elementos de número atómico comprendido entre 16 (S) y 92 (U);
——elementos de contaminación con densidades atómicas superficiales de 1 × 10 átomos/cm a 1 × 10 átomos/cm;
——elementos de contaminación con densidades atómicas en la superficie de 5 × 10 átomos/cm a 5 × 10 átomos/cm usando un método de preparación de muestras VPD (descomposición en fase de vapor) (ver 3.4).
ISO 14706:2000 Historia
2014ISO 14706:2014 Análisis químico de superficies: determinación de la contaminación elemental de la superficie en obleas de silicio mediante espectroscopía de fluorescencia de rayos X de reflexión total (TXRF)
2000ISO 14706:2000 Análisis químico de superficies: determinación de la contaminación elemental de la superficie en obleas de silicio mediante espectroscopía de fluorescencia de rayos X de reflexión total (TXRF)