JIS H 0609:1999
Métodos de prueba de defectos cristalinos en silicio mediante técnicas de grabado preferencial.

Estándar No.

JIS H 0609:1999

Fecha de publicación

1999

Organización

Japanese Industrial Standards Committee (JISC)

Ultima versión

JIS H 0609:1999

Reemplazar

JIS H 0609:1994

Alcance

Esta norma especifica un método para detectar y determinar defectos de unión en obleas de silicio utilizando una solución de grabado selectivo que no contiene cromo hexavalente. Los objetivos son obleas monocristalinas, obleas epitaxiales y sus obleas oxidadas térmicamente, y sus orientaciones del plano cristalino son de tres tipos: plano {100}, plano {llll} y plano {5ll}.

JIS H 0609:1999 Historia

• 1999 JIS H 0609:1999 Métodos de prueba de defectos cristalinos en silicio mediante técnicas de grabado preferencial.
• 1994 JIS H 0609:1994 Métodos de prueba de defectos cristalinos en silicio mediante técnicas de grabado preferencial.