GB/T 7576-1998
Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 7: Transistores bipolares. Sección cuatro: Especificación detallada en blanco para transistores bipolares de caja para amplificación de alta frecuencia (Versión en inglés)

Estándar No.: GB/T 7576-1998
Idiomas: Chino, Disponible en inglés
Fecha de publicación: 1998
Organización: General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China
Ultima versión: GB/T 7576-1998
Reemplazar: GB/T 7576-1987

Alcance: Esta especificación detallada en blanco estipula los principios básicos para formular especificaciones detalladas para transistores bipolares de amplificación de alta frecuencia, y todas las especificaciones detalladas dentro de este rango deben ser consistentes con esta especificación detallada en blanco. Esta especificación detallada en blanco es una serie relacionada con GB/T4589.1-1989 "Especificación general para dispositivos discretos y circuitos integrados para dispositivos semiconductores" y GB/T 12560-1990 "Especificación para dispositivos discretos para dispositivos semiconductores" (IEC747-11: 1985) Una de las especificaciones detalladas en blanco.

GB/T 7576-1998 Historia

1998 GB/T 7576-1998 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 7: Transistores bipolares. Sección cuatro: Especificación detallada en blanco para transistores bipolares de caja para amplificación de alta frecuencia
0000 GB/T 7576-1987