Esta norma especifica el método para determinar la resistividad de los monocristales de silicio (en lo sucesivo denominados monocristales) y las obleas de silicio (en lo sucesivo denominadas obleas) utilizando el método de cuatro sondas de CC. El rango de resistividad medible es de 0,001 a 2000 Ω·cm para el tipo P y de 0,001 a 6000 Ω·cm para el tipo N.
JIS H 0602:1995 Historia
1995JIS H 0602:1995 Método de prueba de resistividad para cristales y obleas de silicio con sonda de cuatro puntos