T/IAWBS 007-2018
Método de prueba para determinar el espesor de capas homoepitaxiales de carburo de silicio 4H mediante reflectancia infrarroja (Versión en inglés)
- Estándar No.
- T/IAWBS 007-2018
- Idiomas
- Chino, Disponible en inglés
- Fecha de publicación
- 2018
- Organización
- Group Standards of the People's Republic of China
- Ultima versión
- T/IAWBS 007-2018
- Alcance
- Esta norma especifica la capa homoepitaxial (concentración de dopaje 5×1014cm-3-5×1016cm) sobre un sustrato de carburo de silicio fuertemente dopado tipo 4H-N (concentración de dopaje tipo N >5×1018cm-3)-3) Método de medición del espesor por reflexión infrarroja. Esta norma se aplica a capas epitaxiales de carburo de silicio de 2 a 100 micras. El método especificado en esta norma es que el sustrato de carburo de silicio 4H y la capa epitaxial tienen diferentes índices de refracción debido a diferentes concentraciones de dopaje, por lo que el espectro de reflexión de la muestra aparecerá como franjas de interferencia continuas que reflejan la información de espesor de la capa epitaxial. Cuando la diferencia de trayectoria óptica entre el haz de luz reflejado desde la superficie de la capa epitaxial y el haz de luz reflejado desde la interfaz del sustrato es un múltiplo entero de la mitad de la longitud de onda, se pueden observar valores máximos y mínimos en el espectro de reflexión. El espesor de la capa epitaxial correspondiente se puede calcular basándose en la posición extrema del pico de la franja de interferencia en el espectro de reflexión, las constantes ópticas de la muestra y el ángulo de incidencia. El principio de detección de espesor de la capa epitaxial de 4H SiC se muestra en la Figura 2: la luz incidente incide en A, se refleja en la superficie epitaxial AC, se refracta en el sustrato y en la interfaz epitaxial B y se emite desde C. ;, y Se puede obtener la diferencia de fase δ entre las luces reflejadas en D.
T/IAWBS 007-2018 Historia
- 2018 T/IAWBS 007-2018 Método de prueba para determinar el espesor de capas homoepitaxiales de carburo de silicio 4H mediante reflectancia infrarroja
