BS IEC 63275-1:2022
Dispositivos semiconductores. Método de prueba de confiabilidad para transistores de efecto de campo semiconductores discretos de óxido metálico de carburo de silicio - Método de prueba para la inestabilidad de la temperatura de polarización
- Estándar No.
- BS IEC 63275-1:2022
- Fecha de publicación
- 2022
- Organización
- British Standards Institution (BSI)
- Ultima versión
- BS IEC 63275-1:2022
- Alcance
- 1 Alcance Esta parte de IEC 63275 proporciona un método de prueba para evaluar el cambio de voltaje de umbral de compuerta de transistores de efecto de campo (MOSFET) semiconductores de óxido metálico de potencia de carburo de silicio (SiC) utilizando una lectura de temperatura ambiente después de aplicar una tensión de voltaje de fuente de compuerta positiva continua a temperatura elevada El método propuesto acepta una cierta cantidad de recuperación al permitir grandes tiempos de retraso entre el estrés y la medición (hasta 10 h).
BS IEC 63275-1:2022 Historia
- 2022 BS IEC 63275-1:2022 Dispositivos semiconductores. Método de prueba de confiabilidad para transistores de efecto de campo semiconductores discretos de óxido metálico de carburo de silicio - Método de prueba para la inestabilidad de la temperatura de polarización
