GB/T 41153-2021 Determinación del contenido de impurezas de boro, aluminio y nitrógeno en un monocristal de carburo de silicio: espectrometría de masas de iones secundarios (Versión en inglés)
Este documento especifica el método de prueba de espectrometría de masas de iones secundarios para el contenido de impurezas de boro, aluminio y nitrógeno en monocristales de carburo de silicio. Este documento es aplicable al análisis cuantitativo del contenido de impurezas de boro, aluminio y nitrógeno en monocristales de carburo de silicio. 1015 cm-3, la concentración del elemento (porcentaje atómico) no supera el 1%. Nota 1: El contenido del elemento que se va a medir en el monocristal de carburo de silicio se calcula mediante el número de átomos por centímetro cúbico. Nota 2: La determinación del contenido de impurezas de vanadio en un monocristal de carburo de silicio puede consultarse en este documento, y el rango de determinación es que el contenido de vanadio no sea inferior a 1×1013 cm-3.
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