ASTM F1192-11(2018)
Guía estándar para la medición de fenómenos de evento único (SEP) inducidos por irradiación de iones pesados de dispositivos semiconductores

Estándar No.

ASTM F1192-11(2018)

Fecha de publicación

2018

Organización

American Society for Testing and Materials (ASTM)

Ultima versión

ASTM F1192-11(2018)

Alcance

1.1 Esta guía define los requisitos y procedimientos para probar circuitos integrados y otros dispositivos para detectar los efectos de fenómenos de evento único (SEP) inducidos por irradiación con iones pesados que tienen un número atómico Z ≥ 2. Esta descripción excluye específicamente los efectos de neutrones, protones, y otras partículas más ligeras que pueden inducir SEP mediante otro mecanismo. SEP incluye cualquier manifestación de perturbación inducida por el impacto de un solo ion, incluidos errores suaves (uno o más cambios de bits reversibles simultáneos), errores graves (cambios de bits irreversibles), enganche (estado persistente de alta conducción), transitorios inducidos en dispositivos combinatorios que pueden introducir un error leve en circuitos cercanos, transistor de efecto de campo de potencia (FET) quemado y ruptura de puerta. Esta prueba puede considerarse destructiva porque a menudo implica retirar las tapas del dispositivo antes de la irradiación. Los cambios de bits generalmente se asocian con dispositivos digitales y el enganche generalmente se limita a dispositivos semiconductores de óxido metálico complementario (CMOS), pero el SEP inducido por iones pesados también se observa en memorias de solo lectura programables con lógica combinatoria (PROM) y ciertos dispositivos lineales que puede responder a una carga transitoria inducida por iones pesados. Los transistores de potencia se pueden probar mediante el procedimiento indicado en el Método 1080 de MIL STD 750. 1.2 Los procedimientos descritos aquí se pueden usar para simular y predecir SEP que surgen del entorno espacial natural, incluidos los rayos cósmicos galácticos, los iones planetarios atrapados y las erupciones solares. . Sin embargo, las técnicas no simulan los efectos de los haces de iones pesados propuestos para programas militares. El producto final de la prueba es un gráfico de la sección transversal SEP (el número de perturbaciones por unidad de fluencia) en función de la LET del ion (transferencia de energía lineal o ionización depositada a lo largo del camino del ion a través del semiconductor). Estos datos se pueden combinar con el entorno de iones pesados del sistema para estimar la tasa de alteración del sistema. 1.3 Aunque los protones pueden causar SEP, no están incluidos en esta guía. Se está considerando una guía separada que aborde la SEP inducida por protones. 1.4 Los valores indicados en unidades SI deben considerarse estándar. No se incluyen otras unidades de medida en esta norma. 1.5 Esta norma no pretende abordar todos los problemas de seguridad, si los hay, asociados con su uso. Es responsabilidad del usuario de esta norma establecer prácticas apropiadas de seguridad, salud y medio ambiente y determinar la aplicabilidad de las limitaciones reglamentarias antes de su uso. 1.6 Esta norma internacional fue desarrollada de acuerdo con los principios internacionalmente reconocidos sobre estandarización establecidos en la Decisión sobre Principios para el Desarrollo de Normas, Guías y Recomendaciones Internacionales emitida por el Comité de Obstáculos Técnicos al Comercio (OTC) de la Organización Mundial del Comercio.

ASTM F1192-11(2018) Historia

• 2018 ASTM F1192-11(2018) Guía estándar para la medición de fenómenos de evento único (SEP) inducidos por irradiación de iones pesados de dispositivos semiconductores
• 2011 ASTM F1192-11 Guía estándar para la medición de fenómenos de evento único (SEP) inducidos por irradiación de iones pesados de dispositivos semiconductores
• 2000 ASTM F1192-00(2006) Guía estándar para la medición de fenómenos de evento único (SEP) inducidos por irradiación de iones pesados de dispositivos semiconductores
• 2000 ASTM F1192-00 Guía estándar para la medición de fenómenos de evento único (SEP) inducidos por irradiación de iones pesados de dispositivos semiconductores