T/IAWBS 008-2019
Método experimental para la tensión residual en obleas de SiC. (Versión en inglés)
- Estándar No.
- T/IAWBS 008-2019
- Idiomas
- Chino, Disponible en inglés
- Fecha de publicación
- 2019
- Organización
- Group Standards of the People's Republic of China
- Ultima versión
- T/IAWBS 008-2019
- Alcance
- En los últimos años, los materiales semiconductores de tercera generación representados por el carburo de silicio (SiC) han atraído la atención mundial. Debido a sus ventajas, como ancho de banda prohibido, alta intensidad de campo eléctrico de ruptura, alta movilidad de electrones saturados, gran conductividad térmica, constante dieléctrica pequeña y fuerte resistencia a la radiación, puede usarse ampliamente en vehículos de nueva energía, tránsito ferroviario, redes inteligentes y semiconductores. La iluminación, las comunicaciones móviles de nueva generación, la electrónica de consumo y otros campos se consideran tecnologías centrales que apoyan el desarrollo de la energía, el transporte, la información, la defensa y otras industrias. La capacidad del mercado global alcanzará decenas de miles de millones de dólares en el futuro, y Se ha convertido en una de las direcciones clave de investigación en la industria de semiconductores en los Estados Unidos, Europa y Japón. Al igual que en las obleas tradicionales a base de silicio, también se generará tensión residual en el proceso de fabricación de las obleas de carburo de silicio. Además de causar problemas de falla como deformación y fractura de la oblea, la tensión residual excesiva también afectará la carbonización debido al efecto piezoresistivo. Por lo tanto, medir con precisión la tensión residual de las obleas de SiC durante el proceso de fabricación es de gran importancia para mejorar el rendimiento del producto y las propiedades eléctricas.
T/IAWBS 008-2019 Historia
- 2019 T/IAWBS 008-2019 Método experimental para la tensión residual en obleas de SiC.
