EN 60749-44:2016 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 44: Método de prueba de efecto de evento único (SEE) irradiado con haz de neutrones para dispositivos semiconductores.
European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）
Ultima versión
EN 60749-44:2016
Alcance
IEC 60749-44:2016 establece un procedimiento para medir los efectos de evento único (SEE) en dispositivos semiconductores de circuitos integrados de alta densidad, incluida la capacidad de retención de datos de dispositivos semiconductores con memoria cuando se someten a radiación de neutrones atmosféricos producida por rayos cósmicos. La sensibilidad de los efectos de un evento único se mide mientras el dispositivo se irradia con un haz de neutrones de flujo conocido. Este método de prueba se puede aplicar a cualquier tipo de circuito integrado. NOTA 1: los dispositivos semiconductores sometidos a tensión de alto voltaje pueden estar sujetos a efectos de evento único, incluidos SEB, quemado de evento único y ruptura de puerta de evento único SEGR; para este tema, que no se trata en este documento, consulte IEC 62396-4. NOTA 2: además de los neutrones de alta energía, algunos dispositivos pueden tener una tasa de error leve debido a la baja energía (
EN 60749-44:2016 Historia
2016EN 60749-44:2016 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 44: Método de prueba de efecto de evento único (SEE) irradiado con haz de neutrones para dispositivos semiconductores.