BS EN IEC 60749-28:2022 Cambios rastreados. Dispositivos semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Pruebas de sensibilidad a descargas electrostáticas (ESD). Modelo de dispositivo cargado (CDM). nivel del dispositivo normas y especificaciones

Alcance: Alcance Esta parte de IEC 60749 establece el procedimiento para probar, evaluar y clasificar dispositivos y microcircuitos según su susceptibilidad (sensibilidad) al daño o degradación por exposición a una descarga electrostática (ESD) del modelo de dispositivo cargado inducido por campo (CDM) definido. . Todos los dispositivos semiconductores empaquetados, circuitos de película delgada, dispositivos de ondas acústicas de superficie (SAW), dispositivos optoelectrónicos, circuitos integrados híbridos (HIC) y módulos de chips múltiples (MCM) que contengan cualquiera de estos dispositivos deben evaluarse de acuerdo con este documento. . Para realizar las pruebas, los dispositivos se ensamblan en un paquete similar al esperado en la aplicación final. Este documento CDM no se aplica a los probadores de modelos de descarga con casquillo. Este documento describe el método inducido por el campo (FI). Una alternativa, el método de contacto directo (DC), se describe en el Anexo J. El propósito de este documento es establecer un método de prueba que replicará las fallas del CDM y proporcionará resultados de prueba CDM ESD confiables y repetibles de un probador a otro, independientemente del dispositivo. tipo. Los datos repetibles permitirán clasificaciones y comparaciones precisas de los niveles de sensibilidad a ESD del MDL.

BS EN IEC 60749-28:2022 Historia

2022 BS EN IEC 60749-28:2022 Cambios rastreados. Dispositivos semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Pruebas de sensibilidad a descargas electrostáticas (ESD). Modelo de dispositivo cargado (CDM). nivel del dispositivo