T/CES 085-2021 Especificación de prueba de polarización inversa de alta temperatura para módulos de transistores bipolares de puerta aislada de paquete de prensa (Versión en inglés)
Esta norma se aplica a los módulos IGBT de ajuste a presión utilizados en dispositivos electrónicos de potencia para redes eléctricas. Otros módulos IGBT nuevos, como los IGBT de inyección mejorada (IEGT), el transistor de puerta aislada de modo dual (BIGT) y otros módulos, también pueden hacer referencia a esta norma. Esta norma presenta el contenido relevante de las pruebas de polarización inversa de alta temperatura de módulos IGBT de ajuste a presión, incluido contenido técnico como el ámbito de aplicación, la definición de términos relacionados, los requisitos del equipo, los procedimientos de prueba, el enfriamiento, las pruebas y los estándares de fallas. Esta norma tiene en cuenta la particularidad de los módulos IGBT de ajuste a presión y proporciona disposiciones y requisitos especiales más específicos y detallados para los métodos de prueba y requisitos de equipos, que pueden resolver eficazmente el problema de las pruebas convencionales que consumen mucho tiempo, los altos costos de prueba y los bajos costos de prueba. Eficiencia de las pruebas Los problemas de bajo nivel proporcionan una garantía básica para la amplia aplicación de módulos IGBT de ajuste a presión. El contenido principal es el siguiente: prefacio 1 & nbsp; alcance 2 & nbsp; documentos de referencia normativos 3 & nbsp; términos y definiciones 4 & nbsp; símbolos y abreviaturas 5 & nbsp; circuito de prueba 6 & nbsp; requisitos del equipo 7 & nbsp; condiciones de prueba 8 & nbsp; prueba 9 & nbsp; Criterio de falla 10 & nbsp; tiempo de prueba; Informe de prueba de certificación 11
T/CES 085-2021 Historia
2021T/CES 085-2021 Especificación de prueba de polarización inversa de alta temperatura para módulos de transistores bipolares de puerta aislada de paquete de prensa