T/IAWBS 003-2017
Determinación de la concentración de portador en la capa epitaxial de SiC_Método de capacitancia-voltaje de la sonda de mercurio (Versión en inglés)
- Estándar No.
- T/IAWBS 003-2017
- Idiomas
- Chino, Disponible en inglés
- Fecha de publicación
- 2017
- Organización
- Group Standards of the People's Republic of China
- Ultima versión
- T/IAWBS 003-2017
- Alcance
- Esta norma especifica el método para medir la concentración de portadores de la capa epitaxial de carburo de silicio (4H-SiC): método de voltaje-capacitancia de la sonda de mercurio. Esta norma es aplicable a la medición de la concentración de portadores de una capa epitaxial de carburo de silicio homogénea de una sola capa y requiere que el espesor medido de la capa epitaxial de carburo de silicio sea mayor que el ancho de la capa de agotamiento bajo el sesgo de prueba. El rango de medición de la concentración de portadores es: 1×1014 cm-3 ~ 5×1017 cm-3. Esta norma también se puede aplicar a la medición de la concentración de portadores en sustratos de carburo de silicio.
T/IAWBS 003-2017 Historia
- 2017 T/IAWBS 003-2017 Determinación de la concentración de portador en la capa epitaxial de SiC_Método de capacitancia-voltaje de la sonda de mercurio
