T/IAWBS 002-2017
Método de prueba para detectar defectos en la superficie de una oblea epitaxial de carburo de silicio (Versión en inglés)

Estándar No.

T/IAWBS 002-2017

Idiomas

Chino, Disponible en inglés

Fecha de publicación

2017

Organización

Group Standards of the People's Republic of China

Ultima versión

T/IAWBS 002-2017

Alcance

Esta norma especifica el método de medición óptica no destructiva de defectos superficiales de obleas epitaxiales de carburo de silicio para dispositivos de potencia. Esta norma se aplica a capas epitaxiales homogéneas de carburo de silicio que superan (incluidas) 2 micras de espesor.

T/IAWBS 002-2017 Historia

• 2017 T/IAWBS 002-2017 Método de prueba para detectar defectos en la superficie de una oblea epitaxial de carburo de silicio