T/CASAS 004.1-2018
Terminología para defectos tanto en sustratos como en epicapas de 4H-SiC (Versión en inglés)
- Estándar No.
- T/CASAS 004.1-2018
- Idiomas
- Chino, Disponible en inglés
- Fecha de publicación
- 2018
- Organización
- Group Standards of the People's Republic of China
- Ultima versión
- T/CASAS 004.1-2018
- Alcance
- Dado que las formas, tipos y causas de los defectos de 4H-SiC, especialmente los defectos epitaxiales de 4H-SiC, son diferentes o completamente diferentes de otros defectos comunes de semiconductores debido a diferentes modos de crecimiento epitaxial, y actualmente no existen estándares nacionales ni estándares industriales aplicables. Por lo tanto, para estandarizar los términos y definiciones de los defectos de 4H-SiC, esta norma está especialmente formulada.
T/CASAS 004.1-2018 Historia
- 2018 T/CASAS 004.1-2018 Terminología para defectos tanto en sustratos como en epicapas de 4H-SiC
