GB 11068-1989
Método de medición de voltaje-capacitancia de concentración de portador de capa epitaxial de GaAs (Versión en inglés)

Estándar No.

GB 11068-1989

Idiomas

Chino, Disponible en inglés

Fecha de publicación

1989

Organización

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China

Estado

ser reemplazado 2006-11

Remplazado por

GB/T 11068-2006

Ultima versión

GB/T 11068-2006

GB 11068-1989 Historia

• 2006 GB/T 11068-2006 Capa epitaxial de arseniuro de galio. Determinación del método de capacitancia-voltaje de concentración de portadores
• 1989 GB 11068-1989 Método de medición de voltaje-capacitancia de concentración de portador de capa epitaxial de GaAs