El carburo de silicio (SiC) es uno de los semiconductores de banda prohibida más maduros actualmente. Tiene mayor intensidad de campo de ruptura, mayor velocidad de saturación y velocidad de deriva de electrones, mayor ancho de banda prohibida y mayor energía térmica que el silicio. La conductividad y otras características se pueden utilizar para producir dispositivos de energía de alta eficiencia, alta temperatura, alta frecuencia, alta potencia y resistentes a la radiación con mejor rendimiento. No solo puede ser ampliamente utilizado en campos industriales tradicionales como la transmisión de energía CC y CA, fuentes de alimentación ininterrumpida, fuentes de alimentación conmutadas y control industrial, sino que también tiene amplias perspectivas de aplicación en energía solar, energía eólica, vehículos eléctricos, aeroespacial y otros campos. Con el desarrollo tecnológico de los diodos de barrera Schottky de SiC y la apertura gradual del mercado, los estándares para los diodos de Si en algunos aspectos no pueden reflejar las características superiores de los diodos de SiC, pero también limitan el desarrollo de algunas características sobresalientes de los diodos de SiC. Formule el " Especificaciones técnicas generales para diodos de barrera Schottky de carburo de silicio" para respaldar el diseño, producción, medición, aceptación y otros trabajos de productos.
T/CASAS 001-2018 Historia
2018T/CASAS 001-2018 Especificación general para diodos de barrera Schottky de carburo de silicio