T/IAWBS 010-2019 (Versión en inglés)

Alcance: Con el desarrollo de la industria del SiC, la obtención de obleas pulidas de monocristal de SiC con superficies perfectas se ha convertido en uno de los eslabones clave en la aplicación de materiales de carburo de silicio. Para fabricar dispositivos electrónicos de potencia de SiC de alto rendimiento, la oblea requiere una red cristalina completa, una superficie ultralisa y libre de daños con extrema planitud y sin desviación de la orientación del cristal. Porque incluso pequeños defectos en la superficie destruirán las propiedades de la superficie del material cristalino, incluso provocarán cambios en la estructura cristalina y afectarán el rendimiento eléctrico del dispositivo. El método de prueba actual se basa principalmente en la observación visual en condiciones de reflexión difusa. Sin embargo, la superficie de las obleas pulidas de monocristal de SiC tiene defectos como partículas, rayones y picaduras. Depender de la inspección visual humana causará grandes errores. Esta norma utiliza instrumentos avanzados para caracterizar objetivamente rayones, partículas, picaduras y otros defectos en la superficie de obleas pulidas de monocristal de SiC.

T/IAWBS 010-2019 Historia

2019 T/IAWBS 010-2019 Método de detección para medir la superficie Método de detección para medir la calidad de la superficie y la densidad de microtubos de obleas de carburo de silicio monocristalino pulido: método de dispersión láser