IEC 63275-2:2022
Dispositivos semiconductores. Método de prueba de confiabilidad para transistores de efecto de campo semiconductores discretos de óxido metálico de carburo de silicio. Parte 2: Método de prueba para la degradación bipolar debido al funcionamiento del diodo del cuerpo.

Estándar No.

IEC 63275-2:2022

Fecha de publicación

2022

Organización

International Electrotechnical Commission (IEC)

Ultima versión

IEC 63275-2:2022

IEC 63275-2:2022 Historia

• 2022 IEC 63275-2:2022 Dispositivos semiconductores. Método de prueba de confiabilidad para transistores de efecto de campo semiconductores discretos de óxido metálico de carburo de silicio. Parte 2: Método de prueba para la degradación bipolar debido al funcionamiento del diodo del cuerpo.