BS EN IEC 60749-26:2018
Cambios rastreados. Dispositivos semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Pruebas de sensibilidad a descargas electrostáticas (ESD). Modelo del cuerpo humano (HBM)

Estándar No.
BS EN IEC 60749-26:2018
Fecha de publicación
2018
Organización
British Standards Institution (BSI)
Ultima versión
BS EN IEC 60749-26:2018
Alcance
Alcance Esta parte de IEC 60749 establece el procedimiento para probar, evaluar y clasificar componentes y microcircuitos según su susceptibilidad (sensibilidad) al daño o degradación por exposición a una descarga electrostática (ESD) de un modelo de cuerpo humano (HBM) definido. El objetivo de este documento es establecer un método de prueba que reproduzca los fallos de HBM y proporcione resultados de prueba de ESD de HBM fiables y repetibles de un probador a otro, independientemente del tipo de componente. Los datos repetibles permitirán clasificaciones y comparaciones precisas de los niveles de sensibilidad a ESD de HBM. Las pruebas ESD de dispositivos semiconductores se seleccionan de este método de prueba, el método de prueba del modelo de máquina (MM) (consulte IEC 60749-27) u otros métodos de prueba ESD de la serie IEC 60749. A menos que se especifique lo contrario, este método de prueba es el seleccionado.

BS EN IEC 60749-26:2018 Historia

  • 2018 BS EN IEC 60749-26:2018 Cambios rastreados. Dispositivos semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Pruebas de sensibilidad a descargas electrostáticas (ESD). Modelo del cuerpo humano (HBM)



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