GB/T 36474-2018
Circuito integrado semiconductor: métodos de medición para memoria de acceso aleatorio dinámico síncrono de velocidad de datos doble 3 (SDRAM DDR3) (Versión en inglés)

Estándar No.

GB/T 36474-2018

Idiomas

Chino, Disponible en inglés

Fecha de publicación

2018

Organización

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会

Ultima versión

GB/T 36474-2018

Alcance

Este estándar especifica el método para la memoria de acceso aleatorio dinámico síncrono de doble velocidad de datos de tercera generación (CDDR3 SDRAMD) de circuitos integrados de semiconductores (verificación de función CDDR3 SDRAMD y métodos de prueba de parámetros eléctricos). Este estándar es aplicable a la memoria de acceso aleatorio dinámico síncrono de doble velocidad de datos de tercera generación. memoria de acceso en el campo de los circuitos integrados semiconductores (DDR3 SDRAMD), verificación funcional y prueba de parámetros eléctricos.

GB/T 36474-2018 Documento de referencia

• GB/T 17574 Dispositivos semiconductores. Circuitos integrados. Parte 2: Circuitos integrados digitales

GB/T 36474-2018 Historia

• 2018 GB/T 36474-2018 Circuito integrado semiconductor: métodos de medición para memoria de acceso aleatorio dinámico síncrono de velocidad de datos doble 3 (SDRAM DDR3)