T/CASAS 027-2023 Movilidad bidimensional del gas electrónico de obleas epitaxiales RF GaN HEMT: método de medición Hall sin contacto (Versión en inglés)
T/CASAS 027—2023 "Método de medición Hall sin contacto para movilidad de gas de electrones bidimensionales Movilidad de obleas epitaxiales GaN HEMT de radiofrecuencia" describe los principios de prueba y los factores de interferencia del método de medición Hall sin contacto de gas de electrones bidimensional Movilidad de obleas epitaxiales GaN HEMT de radiofrecuencia, procedimientos de prueba e informes de prueba. Es adecuado para medir la movilidad bidimensional del gas de electrones de obleas epitaxiales GaN HEMT sobre sustratos semiaislantes. Su rango de medición de movilidad es 100 〖cm〗^2?(V?s)～20000 〖cm〗^2?(V ?s). El método de prueba también es aplicable a la medición bidimensional de la movilidad del gas de electrones de obleas epitaxiales con estructuras similares en otros sistemas de materiales (como estructuras GaAs, InP HEMT). La conductividad del material del sustrato debe ser semiaislante.
T/CASAS 027-2023 Historia
2023T/CASAS 027-2023 Movilidad bidimensional del gas electrónico de obleas epitaxiales RF GaN HEMT: método de medición Hall sin contacto