En general, la prueba dinámica de resistencia ON es una medida del fenómeno de captura de carga en transistores de potencia de GaN. Esta publicación proporciona pautas para probar la resistencia dinámica de encendido de soluciones de transistores de potencia lateral de GaN. Los métodos de prueba se pueden aplicar a lo siguiente: a) dispositivos de potencia discretos en modo de mejora y agotamiento de GaN [3]; b) soluciones de energía integradas de GaN; c) lo anterior en niveles de oblea y paquete. Los métodos de prueba prescritos se pueden utilizar para la caracterización de dispositivos, pruebas de producción, evaluaciones de confiabilidad y evaluaciones de aplicaciones de dispositivos de conversión de energía de GaN. Este documento no pretende cubrir los mecanismos subyacentes de la resistencia dinámica ON y su representación simbólica para las especificaciones del producto.
BS EN IEC 63373:2022 Historia
2022BS EN IEC 63373:2022 Directrices para el método de prueba de resistencia dinámica para dispositivos de conversión de energía basados en GaN HEMT