T/CASAS 009-2019
Determinación de la concentración y distribución de trazas de impurezas en materiales de SiC semiaislantes mediante espectrometría de masas de iones secundarios (Versión en inglés)
- Estándar No.
- T/CASAS 009-2019
- Idiomas
- Chino, Disponible en inglés
- Fecha de publicación
- 2019
- Organización
- Group Standards of the People's Republic of China
- Ultima versión
- T/CASAS 009-2019
- Alcance
- La caracterización de alta precisión de la concentración y distribución de trazas de impurezas en materiales semiconductores es un parámetro importante que afecta el rendimiento de los productos en diferentes etapas de la cadena industrial (como sustratos, epitaxia, chips, dispositivos). El espectrómetro de masas de iones secundarios es el equipo más utilizado y más preciso para detectar la concentración y distribución de elementos traza de impurezas en materiales. En la actualidad, el estándar de mi país para la detección de alta precisión de la concentración y distribución de trazas de impurezas en materiales semiconductores de tercera generación mediante espectrometría de masas de iones secundarios es un campo en blanco, por lo que la formulación de este estándar tiene gran importancia para la evaluación de parámetros característicos y Aplicaciones industriales de materiales semiconductores de tercera generación.Fuerte efecto positivo.
T/CASAS 009-2019 Historia
- 2019 T/CASAS 009-2019 Determinación de la concentración y distribución de trazas de impurezas en materiales de SiC semiaislantes mediante espectrometría de masas de iones secundarios
