T/IAWBS 013-2019
El método de medición de la resistividad para un sustrato de carburo de silicio semiaislante. (Versión en inglés)
- Estándar No.
- T/IAWBS 013-2019
- Idiomas
- Chino, Disponible en inglés
- Fecha de publicación
- 2019
- Organización
- Group Standards of the People's Republic of China
- Ultima versión
- T/IAWBS 013-2019
- Alcance
- SiC es la tercera generación de materiales semiconductores de banda prohibida amplia después de la primera generación de materiales semiconductores representada por Si y la segunda generación de materiales semiconductores representada por arseniuro de galio. Debido a sus ventajas en propiedades físicas, el carburo de silicio se utiliza como sustrato. Ventajas únicas en condiciones físicas extremas, especialmente en altas temperaturas, alta frecuencia, fuertes campos magnéticos y resistencia a la radiación. Los sustratos de SiC semiaislantes de alta pureza se utilizan ampliamente en el campo de las comunicaciones. Al mismo tiempo, los sustratos de SiC semiaislantes de alta pureza tienen una gran importancia militar como material de sustrato clave para los dispositivos de potencia de microondas GaN HEMT. Con el advenimiento de la era 5G, la tercera generación de materiales semiconductores de banda prohibida representada por el carburo de silicio (SiC) y el nitruro de galio (GaN) marcará el comienzo de oportunidades de desarrollo. El tamaño y la uniformidad de la resistividad del sustrato de SiC semiaislante de alta pureza son parámetros clave que afectan la calidad del dispositivo. Por lo tanto, medir con precisión la resistividad de los sustratos de SiC es de gran importancia para mejorar el proceso de preparación del sustrato y el rendimiento eléctrico del dispositivo. La investigación de métodos de medición sin contacto de resistividad de SiC semiaislante de alta pureza y la unificación de estándares de prueba dentro de la industria desempeñarán un papel importante en la promoción de la comunicación y el desarrollo entre las industrias relacionadas con el SiC.
T/IAWBS 013-2019 Historia
- 2019 T/IAWBS 013-2019 El método de medición de la resistividad para un sustrato de carburo de silicio semiaislante.
