BS EN IEC 60749-17:2019
Cambios rastreados. Dispositivos semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Irradiación de neutrones

Estándar No.
BS EN IEC 60749-17:2019
Fecha de publicación
2019
Organización
British Standards Institution (BSI)
Ultima versión
BS EN IEC 60749-17:2019
Alcance
¿De qué trata BS EN IEC 60749 - 17? BS EN IEC 60749 - 17 es la decimoséptima parte de una norma internacional que cubre los atributos de los dispositivos semiconductores. Esto especifica el método de prueba de irradiación de neutrones para determinar los parámetros de degradación de dispositivos semiconductores críticos. BS EN IEC 60749 - 17 especifica que la prueba de irradiación de neutrones se realiza para determinar la susceptibilidad de los dispositivos semiconductores a la degradación por pérdida de energía no ionizante (NIEL). Proporciona especificaciones técnicas como términos y definiciones relacionados, aparatos de prueba, procedimientos de prueba, requisitos de seguridad, etc.

BS EN IEC 60749-17:2019 Historia

  • 2019 BS EN IEC 60749-17:2019 Cambios rastreados. Dispositivos semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Irradiación de neutrones



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