European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）
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EN 60749-34:2010
Alcance
IEC 60749-34:2010 describe un método de prueba utilizado para determinar la resistencia de un dispositivo semiconductor a tensiones térmicas y mecánicas debidas al ciclo de la disipación de potencia de la matriz semiconductora interna y los conectores internos. Esto sucede cuando se aplican y eliminan periódicamente polarizaciones operativas de bajo voltaje para la conducción directa (corrientes de carga), lo que provoca cambios rápidos de temperatura. La prueba de ciclo de energía está destinada a simular aplicaciones típicas en electrónica de potencia y es complementaria a la vida operativa a alta temperatura (consulte IEC 60749-23). Es posible que la exposición a esta prueba no induzca los mismos mecanismos de falla que la exposición a los ciclos de temperatura aire-aire o al cambio rápido de temperatura usando el método de dos baños de fluidos. Esta prueba provoca desgaste y se considera destructiva. Esta segunda edición anula y reemplaza la primera edición publicada en 2004 y constituye una revisión técnica. Los cambios significativos con respecto a la edición anterior incluyen:
——la especificación de condiciones más estrictas para ciclos de potencia más acelerados en el modo de fatiga de unión de cables;
——información de que, en condiciones duras de ciclos de energía, las altas densidades de corriente en una metalización de matriz delgada podrían iniciar efectos de electromigración cerca de las uniones de cables.
EN 60749-34:2010 Historia
2010EN 60749-34:2010 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 34: Ciclos de energía.
2004EN 60749-34:2004 Dispositivos semiconductores Métodos de prueba mecánicos y climáticos Parte 34: Ciclos de energía