T/CASAS 004.2-2018
La colección de metalógrafos para defectos en sustratos y epicapas de 4H-SiC (Versión en inglés)
- Estándar No.
- T/CASAS 004.2-2018
- Idiomas
- Chino, Disponible en inglés
- Fecha de publicación
- 2018
- Organización
- Group Standards of the People's Republic of China
- Ultima versión
- T/CASAS 004.2-2018
- Alcance
- Dado que las formas, tipos y causas de los defectos de 4H-SiC, especialmente los defectos epitaxiales de 4H-SiC, son diferentes o completamente diferentes de otros defectos comunes de semiconductores debido a diferentes modos de crecimiento epitaxial, y actualmente no existen estándares nacionales ni estándares industriales aplicables. Por lo tanto, para estandarizar los términos y definiciones de los defectos de 4H-SiC, esta norma está especialmente formulada. Este estándar es formulado y publicado por el Comité de Estandarización de la Alianza Estratégica de Innovación Tecnológica de la Industria de Semiconductores de Tercera Generación (CASAS). Los derechos de autor pertenecen a CASA y no pueden copiarse sin el permiso de CASA. Otras organizaciones que utilizan el contenido técnico de este estándar para desarrollar normas debe obtener permiso de CASA; cualquier unidad o individuo que cite el contenido de esta norma debe indicar el número de norma de esta norma.
T/CASAS 004.2-2018 Historia
- 2018 T/CASAS 004.2-2018 La colección de metalógrafos para defectos en sustratos y epicapas de 4H-SiC
