1.1 Estos métodos de prueba2 cubren la determinación del tipo de conductividad de semiconductores extrínsecos. Si bien se dan detalles explícitos para el germanio y el silicio, debería ser factible la inclusión de otros materiales extrínsecos como el arseniuro de galio y el antimonuro de indio. Sin embargo, para estos últimos compuestos, la aplicabilidad no se ha verificado formalmente mediante pruebas circulares. Las determinaciones se pueden realizar de manera más confiable en material a granel homogéneo, pero estos métodos de prueba también se pueden usar para mapear regiones de diferente tipo de conductividad en las superficies de muestras no homogéneas. Estos métodos de prueba no se han probado en estructuras estratificadas como las capas epitaxiales. Las mediciones en estas estructuras pueden dar indicaciones erróneas del tipo de conductividad. 1.2 Se describen cuatro métodos de prueba: 1.2.1 Método de prueba A: prueba de conductividad tipo EMF térmica con sonda caliente. 1.2.2 Método de prueba B: Prueba de conductividad tipo EMF térmica con sonda fría. 1.2.3 Método de prueba C: Prueba de tipo conductividad de rectificación de contacto puntual. 1.2.4 Método de prueba D: sistema tipo All3 que funciona en dos modos: 1.2.4.1 Prueba de tipo conductividad de rectificación. 1.2.4.2 Prueba de tipo conductividad térmica EMF. 1.3 La experiencia ha demostrado que el Método de prueba A (sonda caliente) da resultados confiables en silicio tipo n y p que tiene una resistividad a temperatura ambiente de hasta 1000 V·cm. NOTA 1: la resistividad de las muestras de germanio se puede medir de acuerdo con los métodos de prueba F 43 y la resistividad de las rebanadas de silicio se puede medir de acuerdo con los métodos de prueba F 43 o el método de prueba F 84. 1.4 El método de prueba B (sonda fría) proporciona resultados confiables para germanio de tipo n y p que tiene una resistividad a temperatura ambiente de 20 V·cm o menos y para silicio de tipo n y p que tiene una resistividad de hasta 1000 V·cm (Nota 1). Esta técnica tiene la ventaja sobre el método de prueba de sonda caliente de que la amplitud de la señal se puede aumentar desarrollando una mayor diferencia de temperatura entre las dos sondas. 1.5 El Método de prueba C (rectificación) es una técnica simple y conveniente que proporciona resultados confiables para silicio tipo n y p con resistividad a temperatura ambiente entre 1 y 1000 V·cm. Este método de prueba no se recomienda para el germanio (Nota 1). 1.6 El Método de prueba D (modo de rectificación total) es apropiado para su uso en silicio tipo n y p que tiene una resistividad a temperatura ambiente entre 0,1 y 1000 V·cm, inclusive (Nota 1). 1.7 El Método de prueba D (modo de fem térmica de todo tipo) es apropiado para su uso en silicio tipo n y p que tiene una resistividad a temperatura ambiente entre 0,002 y 0,1 V·cm, inclusive (Nota 1). 1.8 Estos métodos de prueba pueden aplicarse fuera de los límites indicados anteriormente, pero su idoneidad fuera de estos límites no ha sido verificada experimentalmente. 1.9 Se recomienda que si no se pueden obtener resultados satisfactorios con el uso de estos métodos de prueba, el tipo de conductividad se determine a partir de mediciones de efecto Hall como se describe en los Métodos de prueba F 76. NOTA 2: DIN 50432 cubre equivalentes técnicos de los Métodos de prueba A y C de estos métodos de prueba, pero no incluye los Métodos de prueba B y D. 1.10 Esta norma no pretende abordar todas las preocupaciones de seguridad, si las hay, asociadas con su uso. Es responsabilidad del usuario de esta norma establecer prácticas apropiadas de seguridad y salud y determinar la aplicabilidad de las limitaciones reglamentarias antes de su uso.
T/SDIRAA 030-2021 Historia
2021T/SDIRAA 030-2021 Especificación de fusión de datos de control de calidad de datos marinos