T/CASAS 015-2022
Método de prueba de ciclo de energía para transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico de carburo de silicio (MOSFET de SiC) (Versión en inglés)
- Estándar No.
- T/CASAS 015-2022
- Idiomas
- Chino, Disponible en inglés
- Fecha de publicación
- 2022
- Organización
- Group Standards of the People's Republic of China
- Ultima versión
- T/CASAS 015-2022
- Alcance
- El transistor de efecto de campo semiconductor de óxido metálico de carburo de silicio (MOSFET de SiC) tiene las características de alto voltaje de bloqueo, alta frecuencia de operación, fuerte resistencia a altas temperaturas, baja resistencia en estado de encendido y pequeña pérdida de conmutación, y se usa ampliamente en alta frecuencia y alta -sistemas de potencia de voltaje. Con el continuo desarrollo de la tecnología de la electrónica de potencia, cada vez más campos, como el aeroespacial, la aviación, la exploración petrolera, la energía nuclear, las comunicaciones, etc., necesitan con urgencia dispositivos electrónicos que puedan funcionar en entornos extremos como altas temperaturas y altas frecuencias. La prueba de ciclo de energía del MOSFET de SiC consiste en someter el dispositivo a ciclos repetidos de encendido, calentamiento y apagado para acelerar la degradación de todas las uniones e interfaces entre el chip del dispositivo y la superficie de montaje. Si un dispositivo puede soportar la cantidad de ciclos de energía en condiciones de tensión específicas es un medio importante para evaluar la confiabilidad del dispositivo en aplicaciones prácticas. Debido al mecanismo de captura y liberación de defectos en la interfaz entre SiO2 y SiC, el método de prueba de ciclo de energía tradicional de Si MOSFET causará desviaciones en los parámetros de monitoreo, como la temperatura de la unión, debido a la deriva del voltaje umbral V_GS(th) ;del dispositivo SiC MOSFET, afectando así la potencia. En cuanto a la precisión de la prueba de ciclo, este documento proporciona el método de prueba de ciclo de energía adecuado para dispositivos SiC MOSFET.
T/CASAS 015-2022 Historia
- 2022 T/CASAS 015-2022 Método de prueba de ciclo de energía para transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico de carburo de silicio (MOSFET de SiC)
