Reemplaza los títulos del capítulo II (ahora: Diodos de capacitancia variable, diodos snap-off y diodos Schottky de conmutación rápida) y de la sección dos (ahora: Diodos snap-off, diodos Schottky), agrega la subcláusula 4.3 (incluidos 4.3.1 a 4.3. 6) al capítulo II, incisos 1 a 4
IEC 60747-4/AMD1:1993 Historia
2017IEC 60747-4:2007/AMD1:2017 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 4: Diodos y transistores de microondas
2017IEC 60747-4:2017 Dispositivos de semiconductores – Dispositivos discretos – Parte 4: Diodos y transistores hiperfrecuencias (Edición 2.1; Reimpresión consolidada)
2007IEC 60747-4:2007 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 4: Diodos y transistores de microondas
2001IEC 60747-4:2001 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 4: Dispositivos de microondas
1999IEC 60747-4/AMD2:1999 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 4: Dispositivos de microondas; Enmienda 2
1993IEC 60747-4/AMD1:1993 Dispositivos semiconductores; dispositivos discretos; parte 4: diodos y transistores de microondas; enmienda 1
1991IEC 60747-4:1991 Dispositivos semiconductores; dispositivos discretos; parte 4: diodos y transistores de microondas
IEC 60747-4/AMD1:1993 Dispositivos semiconductores; dispositivos discretos; parte 4: diodos y transistores de microondas; enmienda 1 ha sido cambiado a IEC 60747-4:2007 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 4: Diodos y transistores de microondas.