EN IEC 60749-17:2019
Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 17: Irradiación de neutrones.

Estándar No.
EN IEC 60749-17:2019
Fecha de publicación
2019
Organización
CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization
Ultima versión
EN IEC 60749-17:2019
Alcance
La prueba de irradiación de neutrones se realiza para determinar la susceptibilidad de los dispositivos semiconductores a la degradación por pérdida de energía no ionizante (NIEL). La prueba aquí descrita es aplicable a circuitos integrados y dispositivos semiconductores discretos y está destinada a aplicaciones militares y aeroespaciales. Es una prueba destructiva. Los objetivos de la prueba son los siguientes: a) detectar y medir la degradación de los parámetros críticos del dispositivo semiconductor en función de la fluencia de neutrones y b) determinar si los parámetros específicos del dispositivo semiconductor están dentro de los límites especificados después de la exposición a un nivel específico de fluencia de neutrones (ver Cláusula 6).

EN IEC 60749-17:2019 Historia

  • 2019 EN IEC 60749-17:2019 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 17: Irradiación de neutrones.



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