SJ 20635-1997
Método de prueba para la concentración de impurezas residuales en microzona de arseniuro de galio semiaislante (Versión en inglés)

Estándar No.

SJ 20635-1997

Idiomas

Chino, Disponible en inglés

Fecha de publicación

1997

Organización

Professional Standard - Electron

Ultima versión

SJ 20635-1997

Alcance

Esta norma especifica el método de medición de microáreas de las concentraciones de carbono, EL2, cromo y silicio en obleas semiaislantes de arseniuro de galio con un espesor de 0,4 a 2,0 mm. Esta norma es aplicable a la determinación de la concentración de las principales impurezas restantes: carbono, EL2, cromo y silicio en obleas semiaislantes de arseniuro de galio.

SJ 20635-1997 Historia

• 1997 SJ 20635-1997 Método de prueba para la concentración de impurezas residuales en microzona de arseniuro de galio semiaislante