SJ 1485-1979
Especificación detallada para transistores de silicio PNP epitaxial planar de alta frecuencia, baja potencia y alto voltaje inverso, tipo 3CG170 (Versión en inglés)
- Estándar No.
- SJ 1485-1979
- Idiomas
- Chino, Disponible en inglés
- Fecha de publicación
- 1980
- Organización
- Professional Standard - Electron
- Estado
- 2010-02
- Ultima versión
- SJ 1485-1979
SJ 1485-1979 Historia
- 1980 SJ 1485-1979 Especificación detallada para transistores de silicio PNP epitaxial planar de alta frecuencia, baja potencia y alto voltaje inverso, tipo 3CG170
