SJ 2757-1987
Método de medición por reflexión infrarroja de la concentración de portadores de carga en semiconductores fuertemente dopados. (Versión en inglés)

Estándar No.

SJ 2757-1987

Idiomas

Chino, Disponible en inglés

Fecha de publicación

1987

Organización

Professional Standard - Electron

Ultima versión

SJ 2757-1987

Alcance

Esta norma es aplicable para medir la concentración de portadores de materiales semiconductores a granel fuertemente dopados, así como para medir la concentración de portadores de capas epitaxiales, capas enterradas y capas de difusión.

SJ 2757-1987 Historia

• 1987 SJ 2757-1987 Método de medición por reflexión infrarroja de la concentración de portadores de carga en semiconductores fuertemente dopados.