Esta norma especifica el método de prueba para la detección rápida de los parámetros térmicos del transistor. Aplicable a: 1.1 Eliminar transistores propensos a fallas tempranas y mejorar la calidad y confiabilidad de los lotes de productos. 1.2 Pruebe los parámetros térmicos I|(CEO) (o I|(CBO))v|(BE) y h|(FE) antes y después de que el tubo de ensayo se someta a una determinada potencia de pulso, y predigalo por su cantidad de cambio o tasa de cambio Recesividad térmica del tubo de ensayo. 1.3 Simule la sobretensión, la sobrecorriente y otras condiciones que pueden ocurrir cuando el tubo de ensayo se usa realmente y aplica tensión. Evaluar la capacidad del tubo de ensayo para resistir impactos. 1.4 Estime el tamaño y el rango de resistencia térmica del tubo de ensayo.
SJ/T 10415-1993 Historia
1993SJ/T 10415-1993 Métodos de prueba de detección rápida para parámetros termosensibles del transistor.