SJ 1480-1979 Especificación detallada para transistores planos epitaxiales de alta frecuencia y baja potencia de silicio PNP, tipo 3CG130 (Versión en inglés)
2016SJ/T 1480-2016 Dispositivo semiconductor discreto 3CG130 tipo silicio PNP transistor de alta frecuencia y baja potencia especificación detallada
1980SJ 1480-1979 Especificación detallada para transistores planos epitaxiales de alta frecuencia y baja potencia de silicio PNP, tipo 3CG130
SJ 1480-1979 Especificación detallada para transistores planos epitaxiales de alta frecuencia y baja potencia de silicio PNP, tipo 3CG130 ha sido cambiado a SJ/T 1480-2016 Dispositivo semiconductor discreto 3CG130 tipo silicio PNP transistor de alta frecuencia y baja potencia especificación detallada.