SJ 1477-1979 Especificación detallada para transistores planos epitaxiales de alta frecuencia y baja potencia de silicio PNP, tipo 3CG120 (Versión en inglés)
2016SJ/T 1477-2016 Dispositivo semiconductor discreto 3CG120 tipo silicio PNP transistor de alta frecuencia y baja potencia especificaciones detalladas
1980SJ 1477-1979 Especificación detallada para transistores planos epitaxiales de alta frecuencia y baja potencia de silicio PNP, tipo 3CG120
SJ 1477-1979 Especificación detallada para transistores planos epitaxiales de alta frecuencia y baja potencia de silicio PNP, tipo 3CG120 ha sido cambiado a SJ/T 1477-2016 Dispositivo semiconductor discreto 3CG120 tipo silicio PNP transistor de alta frecuencia y baja potencia especificaciones detalladas.