SJ 1472-1979
Especificación detallada para transistores planos epitaxiales de alta frecuencia y baja potencia de silicio PNP, tipo 3CG110 (Versión en inglés)

Estándar No.

SJ 1472-1979

Idiomas

Chino, Disponible en inglés

Fecha de publicación

1980

Organización

Professional Standard - Electron

Estado

 2016-09

Remplazado por

SJ/T 1472-2016

Ultima versión

SJ/T 1472-2016

SJ 1472-1979 Historia

• 2016 SJ/T 1472-2016 Dispositivo semiconductor discreto 3CG110 tipo silicio PNP transistor de alta frecuencia y baja potencia especificación detallada
• 1980 SJ 1472-1979 Especificación detallada para transistores planos epitaxiales de alta frecuencia y baja potencia de silicio PNP, tipo 3CG110

SJ 1472-1979 Especificación detallada para transistores planos epitaxiales de alta frecuencia y baja potencia de silicio PNP, tipo 3CG110 ha sido cambiado a SJ/T 1472-2016 Dispositivo semiconductor discreto 3CG110 tipo silicio PNP transistor de alta frecuencia y baja potencia especificación detallada.