BS IEC 60747-4:2007+A1:2017
Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos: diodos y transistores de microondas.

Estándar No.

BS IEC 60747-4:2007+A1:2017

Fecha de publicación

2020

Organización

British Standards Institution (BSI)

Estado

Remplazado por

BS IEC 60747-4:2007+A1:2017(2020)

Ultima versión

BS IEC 60747-4:2007+A1:2017(2020)

Alcance

Alcance Esta parte de IEC 60747 proporciona requisitos para las siguientes categorías de dispositivos discretos: 　——diodos de capacitancia variable y diodos de ruptura (para sintonización, convertidor ascendente o multiplicación de armónicos, conmutación, limitación, desplazamiento de fase, amplificación paramétrica); 　——diodos mezcladores y diodos detectores; 　——diodos de avalancha (para generación directa de armónicos, amplificación); 　——diodos gunn (para generación directa de armónicos); 　——transistores bipolares (para amplificación, oscilación); 　——transistores de efecto de campo (para amplificación, oscilación).

BS IEC 60747-4:2007+A1:2017 Historia

• 0000 BS IEC 60747-4:2007+A1:2017(2020)
• 2020 BS IEC 60747-4:2007+A1:2017 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos: diodos y transistores de microondas.
• 2008 BS IEC 60747-4:2008 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Diodos y transistores de microondas