SJ/T 10482-1994
Método de prueba para caracterizar niveles profundos de semiconductores mediante técnicas de capacitancia transitoria. (Versión en inglés)
- Estándar No.
- SJ/T 10482-1994
- Idiomas
- Chino, Disponible en inglés
- Fecha de publicación
- 1994
- Organización
- Professional Standard - Electron
- Ultima versión
- SJ/T 10482-1994
- Alcance
- Esta norma especifica el método de prueba para medir niveles de energía profundos en materiales semiconductores utilizando el método de espectroscopia transitoria de nivel profundo (DLTS) en tecnología de capacitancia transitoria. Este estándar es adecuado para medir los niveles profundos de energía producidos por impurezas y defectos en la banda prohibida de semiconductores en materiales semiconductores como el silicio y el arseniuro de galio. Mediante este método, se pueden obtener parámetros como la energía de activación, la concentración y el factor A preexponencial del nivel de energía profundo. Este estándar se aplica a niveles de energía profundos asociados con la generación de transitorios capacitivos exponenciales.
SJ/T 10482-1994 Historia
- 1994 SJ/T 10482-1994 Método de prueba para caracterizar niveles profundos de semiconductores mediante técnicas de capacitancia transitoria.
