SJ 801-1974
Especificación detallada para transistores planos epitaxiales de silicio NPN de alta frecuencia, baja potencia y alto voltaje inverso, tipo 3DG181 (Versión en inglés)

Estándar No.

SJ 801-1974

Idiomas

Chino, Disponible en inglés

Fecha de publicación

1974

Organización

Professional Standard - Electron

Estado

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Ultima versión

SJ 801-1974

SJ 801-1974 Historia

• 1974 SJ 801-1974 Especificación detallada para transistores planos epitaxiales de silicio NPN de alta frecuencia, baja potencia y alto voltaje inverso, tipo 3DG181