SJ 799-1974
Especificación detallada para transistores de voltaje inverso de baja potencia, alta frecuencia, planos epitaxiales, NPN, de silicio, tipo 3DG170 (Versión en inglés)

Estándar No.

SJ 799-1974

Idiomas

Chino, Disponible en inglés

Fecha de publicación

1974

Organización

Professional Standard - Electron

Estado

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Ultima versión

SJ 799-1974

SJ 799-1974 Historia

• 1974 SJ 799-1974 Especificación detallada para transistores de voltaje inverso de baja potencia, alta frecuencia, planos epitaxiales, NPN, de silicio, tipo 3DG170