SJ 2277-1983
Especificación detallada para transistores planos epitaxiales de silicio NPN de muy alta frecuencia y baja potencia, tipo 3DG115 (Versión en inglés)

Estándar No.

SJ 2277-1983

Idiomas

Chino, Disponible en inglés

Fecha de publicación

1983

Organización

Professional Standard - Electron

Estado

Retirar 2010-02

Ultima versión

SJ 2277-1983

SJ 2277-1983 Historia

• 1983 SJ 2277-1983 Especificación detallada para transistores planos epitaxiales de silicio NPN de muy alta frecuencia y baja potencia, tipo 3DG115